MEMORIA ROM

HISTORIA:

La memoria flash, inventada por Toshiba a mediados de los 50, y comercializada a principio de los 60s, es un tipo de EEPROM que hace un uso muy eficiente del chip y puede ser borrada y reprogramada muchas veces sin daño. Los diseñadores rompieron explícitamente con las prácticas del pasado, afirmando que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros", más que tener el tradicional uso de la ROM como una forma de almacenamiento primario no volátil. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los golpes, una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD), y un consumo de potencia mucho más bajo. Esta memoria es únicamente de lectura, y sirve para almacenar el programa básico de iniciación, instalado desde fábrica. Este programa entra en función en cuanto es encendida la computadora y su primer función es la de reconocer los dispositivos (incluyendo memoria de trabajo).

DEFINICIÓN:

La memoria de sólo lectura, conocida también como ROM (acrónimo en inglés de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite solamente la lectura de la información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía. Esta no es una memoria de acceso secuencial.

CARACTERÍSTICAS:

Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente en su sentido más estricto, se refiere solo a máscara ROM -en inglés, MROM- (el más antiguo tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, aun siendo descritos como "memoria de sólo lectura" (ROM). La razón de que se las continúe llamando así es que el proceso de reprogramación en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son más flexibles y económicos, por lo cual las antiguas máscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.

TIPOS DE MEMORIAS ROM:

ROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, en castellano ROM programable, se caracteriza por ser digital. En ella, cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede ser quemado una única vez. Esto ocasiona que, a través de un programador PROM, puedan ser programadas por única vez. La memoria PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten cambiarse en todos o la mayoría de los casos. También se recurre a ella cuando aquellos datos que quieran almacenarse fe forma permanente no superen a los de la ROM.

EPROM: por las siglas en inglés de Erasable Programmable Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrable de sólo lectura. Esta memoria ROM es un chip no volátil y está conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen de fábrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse a través de un dispositivo electrónico cuyos voltajes superan a los usados en circuitos electrónicos. A partir de esto, las celdas comienzan a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta memoria puede ser borrada sólo si se la expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es programada, se vuelve no volátil, o sea que los datos almacenados permanecen allí de forma indefinida.

EEPROM: por las siglas en inglés de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, en castellano ROM programable y borrable eléctricamente. Esta memoria, como su nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el caso de las EPROM, lo que hace que resulten no volátiles. Además de tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de óxido ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse eléctricamente. Como para realizar esto no se precisan programadores especiales ni rayos ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito. Además presenta la posibilidad de reescribir y borrar bytes individualmente, y son más fáciles y veloces de reprogramar que las anteriores.  Las desventajas que presenta en comparación a las anteriores son la densidad y sus costos altos.